功能齐全重庆内藤销售 FE-5000 光谱椭偏仪 OTSUKA大塚電子 FE-5000 重庆内藤机械设备有限公司

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光学仪器、光学材料、实验仪器、手动工具、焊接工具、焊接材料、仪器仪表、静电设备、静电辅料、工业器材、气动元件、电工电气、测量工具、计量设备、气动工具、电动工具、化工设备、化工辅料、点胶设备、小型设备、储存设备、物流设备、工业安防、**防护、包装材料、切削工具、切削材料、办公设备、办公文具、工装夹具、测试治具、机械加工。设备等。

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产品名称：功能齐全重庆内藤销售 FE-5000 光谱椭偏仪 OTSUKA大塚電子
产品型号：FE-5000
产品厂商：OTSUKA大塚電子
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简单介绍：

除了能够进行高精度薄膜分析的分光椭圆偏振光谱仪之外，还可以通过安装测量角度的自功能齐全重庆内藤销售 FE-5000 光谱椭偏仪 OTSUKA大塚電子动可变机构来支持各种薄膜。除了传统的旋转分析仪方法之外，通过提供相位差板的自动功能齐全重庆内藤销售 FE-5000 光谱椭偏仪 OTSUKA大塚電子回缩机构来提高测量精度。

详情介绍：

除了能够进行高精度薄膜分析的分光椭圆偏振光谱仪之外，还可以通过安装测量角度的自动可变机构来支持各种薄膜。除了传统的旋转分析仪方法之外，通过提供相位差板的自动回缩机构来提高测量精度。

（详情请咨询TEL:18375760285 QQ;1280713150 白先生）

特点

椭圆参数测量可以在紫外和可见光（250-800nm）的波长范围内进行
纳米级多层薄膜的厚度分析
Ellipso光谱可以通过400多ch的多通道光谱快速测量
对应于通过可变反射角度测量的薄膜的详细分析
通过创建光学常数数据库并添加配方注册功能，可以增强操作的便利性
可以通过层膜配合分析通过光学常数测量来控制膜厚度/膜质量

测量项目

椭圆参数（tanψ，cosΔ）测量
光学常数（n：折射率，k：消光系数）分析
薄膜厚度分析

应用程序使用

半导体晶片
的栅氧化膜，氮化物膜
的SiO 2，硅X ö ÿ，氮化硅，的SiON，氮化硅X，AL 2 ö 3由SiN X ö ÿ，多晶Si，硒化锌，BPSG，氮化钛
的抗蚀剂（波长色散）的光学常数
化合物半导体
Al x Ga （1-x） As多层膜，非晶硅
用于等离子显示器的FPD
定向膜
ITO，MgO等
各种新材料
DLC（Diamond Like Carbon），超导薄膜，磁头薄膜等
光学薄膜
TiO 2，SiO 2，多层膜，减反射膜，反射膜
光刻领域
g线（436纳米），h线（405纳米），i线（365纳米）中，n在各波长，诸如KrF受（248nm的）中，k评价

产品规格

模型	FE-5000S	FE-5000
测量样本	反射测量样本
样本大小	100 x 100毫米	200 x 200毫米
测量方法	旋转分析仪方法* 1
测量的薄膜厚度范围（nd）	0.1纳米 -
事件（反射）角度范围	45到90°	45到90°
事件（反射）角度驱动系统	自动签名栏的驱动方法
入射点直径* 2	关于φ2.0	关于φ1.2sup * 3
tanψ测量精度	±0.01以下
cosΔ测量精度	±0.01以下
膜厚的可重复性	0.01％以下* 4
测量波长范围* 5	300至800纳米	250至800纳米
光谱探测器	多色仪（PDA，CCD）
测量光源	高稳定性氙灯* 6
舞台传动系统	手册	手动/自动
加载器兼容	不当	是的
尺寸，重量	650（W）×400（D）×560（H）mm 约50kg	1300（W）×900（D）×1750（H）mm 约350kg * 7
软件
分析	*小二乘薄膜分析（折射率模型函数，柯西色散方程模型方程，如NK-柯西色散方程模型分析）理论方程分析（本体表面NK分析，角度依赖性同时分析）

* 1可以驱动偏光片，可以去除对死区有效的延迟片。
* 2取决于短轴·角度。
* 3小点对应（选项）
* 4使用VLSI标准SiO2膜（100nm）时的值。
* 5可以在此波长范围内进行选择。
* 6光源根据测量波长而变化。
* 7选择自动舞台时的值。

原则

包括s波和p波的线性偏振光入射到样本上，并测量反射光的椭圆偏振光。s波和在相位p波的变化和独立地振幅比tanψ和p波和S波的反射率的相位差的两个偏振取决于获得样品Δ的转换参数。

tanψ，consΔ被称为椭球参数，椭圆光谱法测量这两个参数的波长相关谱。

光学系统图

FE-5000光学系统绘图

产品名称：功能齐全 重庆内藤销售 FE-5000 光谱椭偏仪 OTSUKA大塚電子

原则

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