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  • 产品名称：功能齐全 重庆内藤销售 FE-300V 薄膜厚度监视器 OTSUKA大塚電子

  • 产品型号：FE-300V
  • 产品厂商：OTSUKA大塚電子
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简单介绍：
对应于从薄膜到厚膜的宽膜厚度 功能齐全 重庆内藤销售 FE-300V 薄膜厚度监视器 OTSUKA大塚電子 使用反射光谱的厚度分析 功能齐全 重庆内藤销售 FE-300V 薄膜厚度监视器 OTSUKA大塚電子 结构紧凑·成本低，但非接触式，非破坏性和高度**的测量 简单的条件设置和测量操作！易于测量任何人的膜厚度
详情介绍：
它是一种紧凑，低成本的薄膜厚度计，可以通过高精度的光学干涉方法实现薄膜厚度测量，操作简单。
我们采用了一体化的房屋，在主体中容纳了必要的设备，实现了稳定的数据采集。
光学常数的分析也可以通过获得**反射率来实现，尽管它是低成本的。

（详情请咨询TEL:18375760285 QQ;1280713150 白先生）

特点
  • 对应于从薄膜到厚膜的宽膜厚度
  • 使用反射光谱的厚度分析
  • 结构紧凑·成本低，但非接触式，非破坏性和高度**的测量
  • 简单的条件设置和测量操作！易于测量任何人的膜厚度
  • 通过非线性*小二乘法，优化方法，PV方法，FFT分析方法等可以进行各种各样的膜厚度测量。
  • 通过非线性*小二乘法的膜厚度分析算法可以进行光学常数分析（n：折射率，k：消光数计数）

 

测量项目
  • **反射率测量
  • 薄膜厚度分析分析（10层）
  • 光学常数分析（n：折射率，k：消光米数）

 

应用程序使用
  • 功能性膜，塑料
    的透明导电膜（ITO，银纳米线），相位差膜，偏振膜，AR膜，PET，PEN，TAC，PP ，PC，PE，PVA， 胶，粘合剂，保护膜，硬外套，指纹等
  • 半导体
    化合物半导体，Si，氧化膜，氮化膜，Resist，SiC，GaAs，GaN，InP，InGaAs，SOI，蓝宝石等
  • 表面处理的
    DLC涂层，防锈剂，防雾剂等
  • 光学材料
    过滤器，AR涂层等
  • FPD
    LCD（CF，ITO，LC，PI），OLED（有机薄膜，密封剂）等
  • 其他
    硬盘，磁带，建筑材料等
测量原理

使用大冢电子，光学干涉测量和我们自己的高精度分光光度计可实现非接触，无损，高速和高精度的薄膜厚度测量。光学干涉测量法是通过使用由使用如图1所示的分光光度计的光学系统获得的反射率来获得光学膜厚度的方法。例如，如图1所示，在金属基板上涂布膜的情况下，从目标试样的上方入射的光被膜（R1）的表面反射。而且，透过膜的光在基板（金属）或膜界面（R2）上反射。测量此时由于光程差引起的相移引起的光学干涉现象，并根据所获得的反射光谱和折射率计算膜厚度的方法称为光学干涉方法。有四种分析方法：峰谷方法，频率分析方法，非线性*小二乘法和优化方法。

膜厚测量原理

产品规格
模型 FE-300V FE-300 UV FE-300 NIR * 1
整个 标准测量类型 薄膜测量类型 厚膜测量类型 厚膜测量类型
（高分辨率）
样本大小 *大8英寸晶圆（厚度5毫米）
测量的薄膜厚度范围
（nd） 		100纳米到40微米 10纳米至20微米 3μm至300μm 15微米到1.5毫米
测量波长范围 450纳米到780纳米 300nm至800nm 900nm至1600nm 1470nm至1600nm
薄膜厚度精度 ±0.2 nm * 2以内 ±0.2 nm * 2以内 - -
重复性 在0.1纳米* 3以内 在0.1纳米* 3以内 - -
测量时间 在0.1秒到10秒内
点直径 φ约3毫米
光源 卤素 氘和卤素混合 卤素 卤素
接口 USB
尺寸，重量 <280（W）×570（D）×350（H）mm，约24kg
软件        
标准 峰谷分析，FFT分析，优化方法分析，*小二乘分析
选项 材料评估软件，后期分析软件，膜模型分析，参考板

* 1请与我们联系以获取详细信息
* 2 
超大规模集成电路薄膜厚度保证（100纳米二氧化硅/硅）* 3 所述的测量保证值范围对于VLSI薄膜厚度标准（100纳米二氧化硅/硅）重复测量的不确定性（包含因子2.1）

光学系统图

FE-300膜厚测量光学系统图

 

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